Тип носителя зарядов изменяется путем добавок атомов с мЕньшим или бОльшим числом валентных электронов (электронов во внешнем слое) по сравнению с атомами основного полупроводника. Например в кремний (4 валентных электрона) можно ввести мышьяк или фосфор (5 валентных электронов)
Атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния (другими словами, заменяют атом кремния в кристаллической решетке). Однако пятый электрон атома мышьяка или фосфора оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является отрицательно заряженный электрон. Получаем электронный полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный). Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий или галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у соседних атомов кремния, вследствие чего образуется положительно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник или p-полупроводник (от positive - положительный)