Ну, например, поглощение электроном света в п\п, точнее, в р-n переходе. Электрон перескакивает в зону проводимости, в валентной зоне образуется дырка, а встроенное поле растаскивает их, чтоб не былО рекомбинации.
Подзабыл за ...цать годков, но кажись так.
P.S.
По-поводу следующего ответа:
1."Дырка" уже подразумевает полупроводник
2. Если электрон и дырка останутся в одной зоне п\п ( n, p, собственный) , то они рекомбинируют, и довольно быстро.